【日韓】サムスン電子、東工大教授がJSTの支援で発明した高性能薄膜トランジスタ特許を契約
サムスン電子:日本の高性能薄膜トランジスタ特許を契約2011年7月20日 20時19分 更新:7月20日 20時35分
科学技術振興機構(JST)は20日、細野秀雄・東京工業大教授がJSTの支援で発明した高性能薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、韓国のサムスン電子と締結した。同社は大型や三次元型のディスプレーを開発し、2年後の製品化を目指している。
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サムスン電子:日本の高性能薄膜トランジスタ特許を契約2011年7月20日 20時19分 更新:7月20日 20時35分
科学技術振興機構(JST)は20日、細野秀雄・東京工業大教授がJSTの支援で発明した高性能薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、韓国のサムスン電子と締結した。同社は大型や三次元型のディスプレーを開発し、2年後の製品化を目指している。
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